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J-GLOBAL ID：202102225453446995   整理番号：21A2636945

SWIR検出のためのSiプラットフォーム上の高性能背面照射Ge_0.92Sn_0.08/Ge多重量子井戸光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Back-Illuminated Ge_0.92Sn_0.08/Ge Multiple-Quantum-Well Photodetector on Si Platform For SWIR Detection

著者 (9件)： Wu Shaoteng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Xu Shengqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Zhou Hao (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Jin Yuhao (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Chen Qimiao (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Huang Yi-Chiau (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, CA, USA) ,  Zhang Lin (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Tan Chuan Seng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.8200109.1-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,デバイストップ表面に照射された外部光を有する高性能GeSnフォトダイオード(PD)が様々なプラットフォームで実証されている。しかし,焦点面アレイ(FPA)を有する画像センシングシステムに対して,前面照明センサは,通常,領域制限を受ける。ここでは,相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)互換プロセスにより完全に実現した300mmシリコン基板上の高性能背面照明Ge_0.92Sn_0.08/Ge多重量子井戸(MQW)p-i-nPDについて報告する。1000~2,100nmの間の広帯域光応答が観察され,応答性は,それぞれ1,550および2,000nmで0.2850および0.0085A/Wであった。すべての従来の通信バンド(OからUバンド)をカバーする1,050と1900nmの間で,109cmHz1/2/Wより大きい比検出能を達成した。さらに,反射防止層の影響も詳細に研究した。結果は,黒色Si(b-Si)表面が,1000-1500nmの間のより多くの光電流を強化し,一方,SiO_2層(400nm厚み)は,1500nmを超えてより多くの電流を増加させることを示した。3dB帯域幅は,-2Vで直径20μmのメサに対して8GHzまで計算された。著者らの実験は,短波赤外(SWIR)範囲で動作する画像センシングシステムにおいて,潜在的用途を有する高検出および高速バック照明GeSn/Ge MQW PDを実証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  赤外線 ,  電流 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  フォトダイオード ,  応答特性 ,  *ケイ素 ,  酸化物 ,  短波 ,  広帯域 ,  *多重量子井戸
準シソーラス用語： 光応答 ,  焦点面アレイ ,  反射防止 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (8件)： SWIR ,  Si ,  プラットフォーム ,  高性能 ,  背面 ,  Ge ,  多重量子井戸 ,  光検出器