文献

J-GLOBAL ID：202102225529556400   整理番号：21A0763786

InAsサブ単分子層構造における2Dから3Dへの遷移のAFM研究【JST・京大機械翻訳】

AFM Study of the 2D to 3D Transition in InAs Submonolayer Structures

著者 (2件)： ROCA Ronel Christian (Toyota Technological Inst.) ,  KAMIYA Itaru (Toyota Technological Inst.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z01-11  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： サブ単分子層(SML)成長モードを,InAsナノ構造,例えば量子ドット(QD)を組み立てる方法として,よく知られたStranski-Krastanov(SK)成長モードの代替として,SK-成長における2Dから3Dへの転移が,約0.7MLの臨...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  脱着 ,  酸化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *単分子層 ,  *ヒ化インジウム ,  臨界 ,  *二次元 ,  *三次元 ,  量子井戸 ,  原子間力顕微鏡 ,  バッファ層 ,  ナノ構造 ,  量子ドット
準シソーラス用語： 成長モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAs ,  サブ ,  単分子層 ,  2D ,  3D ,  遷移 ,  AFM ,  研究