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J-GLOBAL ID：202102225835144409   整理番号：21A3385038

Auベース裏面反射器を組み込んだ高性能低バンドギャップ(0.8eV)単一接合GaInNAsSb太陽電池【JST・京大機械翻訳】

High performance low-bandgap (0.8 eV) single junction GaInNAsSb solar cells incorporating Au-based back surface reflectors

著者 (7件)： Isoaho Riku (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Aho Timo (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Aho Arto (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Tukiainen Antti (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Reuna Jarno (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Raappana Marianna (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland) ,  Guina Mircea (Optoelectronics Research Centre, Physics Unit, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Tampere University, P.O. Box 692, FI-33014, Tampere, Finland)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 234  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電流発生を高めるために平面Au背面反射器を組み込んだ低バンドギャップGaInNAsSb単一接合太陽電池を報告した。特に,背面反射器を組み込んだ0.78eV(6.2%Nに相当する)のバンドギャップを有する700nm厚さのGaInNAsSb接合は,多重接合構造の動作を模倣するGaAsフィルタの下に置かれたとき,AM1.5D(1000W/m2)照明に対して15.2mA/cm2の短絡電流密度を示した。対応する外部量子効率は,0.8eV以下のバンドギャップを持つ希薄な窒化物太陽電池に対してこれまで報告された最高の外部量子効率を示した。電気的シミュレーションは,量子効率の比較的高い値が,GaInNAsSb領域における低いp型キャリア濃度と部分的に変化するドーピングレベルに起因することを明らかにした。さらに,低バンドギャップGaInNAsSb材料の吸収係数を推定し,反射体を有する太陽電池の光子収穫性能を理解するために,包括的光学解析に用いた。解析は,平面背面反射器によって可能になった二重パス構成のためのGaInNAsSb層の不完全な吸収を明らかにし,より高度な構造化反射器を配置する必要性を指摘した。しかし,この構造は,量子効率値の更なる改良のための基礎を敷設する高い捕集効率を示した。さらに,低バンドギャップ希薄窒化物太陽電池は,5またはそれ以上の接合を有する次世代多接合デバイスにおける電流整合要求に適合する可能性を示し,従って,Geを底部接合として置き換えるための有望な代替である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光電流 ,  シミュレーション ,  *太陽電池 ,  *金 ,  ゲルマニウム ,  *反射器 ,  ヒ化ガリウム ,  窒化物 ,  ドーピング ,  量子効率 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 多重接合 ,  外部量子効率 ,  短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 希薄窒化物 ,  裏面反射器 ,  分子ビームエピタクシー ,  GaInNAsSb ,  多重接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  反射器 ,  高性能 ,  バンドギャップ ,  太陽電池