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J-GLOBAL ID:202102226064956036   整理番号:21A0150052

SAWデバイスのためのALN/SI基板に基づくIDT構造最適化設計【JST・京大機械翻訳】

IDT Structure Optimization Design based on ALN/SI Substrate for Saw Devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 2020  号: CSTIC  ページ: 1-3  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,良好な圧電特性を有する窒化アルミニウム(A1N)膜を,圧電層としてシリコン(Si)基板上に成長させ,異なるインターデジタル変換器(IDT)構造を有する表面音響波(SAW)デバイスの特性を,Rectangle関数,Hanning関数およびKaiser関数を用いて研究した。MATLABとe-LINE+ソフトウェアを用いて,レイアウトファイルを迅速かつ正確に生成した。300nmの指幅を有する装置を,室温で試験し,そして,結果は,Kaiser関数構造を有するデバイスが,より良い共振波形を示し,中心周波数が4.94GHzまで,サイドローブの抑制度が,明らかに,43.53dBまで増加して,挿入損失が,-5.87dBであることを示した。本研究は,高性能表面音響波デバイスの設計および研究において,活発な役割を演ずる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 

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