光ルミネセンススペクトルに及ぼす10MeV電子によるCu(In,Ga)Se_2薄膜の照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Sulimov M. A.; Sarychev M. N.; Mogilnikov I. A.; Ivanov V. Yu.; Zhivulko V. D.; Borodavchenko O. M.; Mudryi A. V.; Yakushev M. V.

文献

J-GLOBAL ID：202102226422055483 整理番号：21A0031047

光ルミネセンススペクトルに及ぼす10MeV電子によるCu(In,Ga)Se_2薄膜の照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of irradiation of Cu(In,Ga)Se₂ thin films by 10 MeV electrons on photoluminescence spectra

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資料名：
巻： 2313 号： 1 ページ： 030007-030007-6 発行年： 2020年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Mo被覆ガラス基板上のCu(In,Ga)Se_2の薄膜を,Cu(In,Ga)Se_2の照射欠陥の性質を決定するために,10MeV電子の1.8x1015cm-2の線量で液体窒素浴中での照射前後の光ルミネセンス(PL)技術によって研究した。照射前のPLスペクトルは,1eVで広い支配的バンドを含み,3つのピークP1,P2とP3,および0.86eVの2つの低強度バンドP4と0.77eVのP5から成る。それらの強いjシフトのため,P1,P2およびP3は自由電子の自由から結合(FB)再結合に割り当てられ,そのエネルギー準位が価電子帯の電位変動によって影響を受ける3つの異なるアクセプタに局在化した正孔であった。P4とP5バンドも自由電子のFB再結合に帰属したが,より深いアクセプタと帰属した。照射は,支配的な3バンドP1,P2およびP3のPL強度を減少させた。そのような還元を深いトラップとして作用する非放射欠陥の形成に割り当てる。照射はP3バンド(12meV/d)のjシフトを変化させず,P3と関連するアクセプタが照射により影響されないことを示唆した。しかし,照射は,P2jシフトを13.8meV/dから4meV/dに減少させ,このアクセプタに関連する補償レベルの著しい減少を示した。室温への加温は,おそらく,いくつかの放射線誘起欠陥のアニーリングにより,支配的なバンドの強度を2倍にした。これはP2jシフトを10meV/dに増加させ,このアクセプタに関連する補償レベルの上昇を示した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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