文献
J-GLOBAL ID:202102226902054351   整理番号:21A0531058

第一原理研究による窒化チタン(001)表面上のAlN膜の吸着挙動と結晶構造【JST・京大機械翻訳】

Adsorption behaviors and crystal structure of AlN films on TiN (001) surfaces by first-principles study
著者 (5件):
資料名:
巻: 150  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
窒化チタン(001)表面上のAlおよびN原子の初期吸着挙動および窒化チタン(001)基板上の岩塩AlN(rs-AlN)およびウルツ鉱型AlN(wz-AlN)膜の構造安定性を第一原理によって計算した。結果は,Al原子が窒化チタン(001)表面のN原子上に最初に吸着され,次にAlのNとNへの原子結合が,連続的吸着を形成するためにエネルギー的に有利であることを示した。AlN吸着原子によって形成した結晶構造をAlN/窒化チタン界面の結合エネルギーを計算することによって研究し,そして,AlN膜における歪エネルギーは窒化チタン(001)基板上で成長する傾向があり,AlN層の厚みが8.9nm以上のとき,それは安定なwz-AlN構造に変態しない。この計算結果は,実験における厚いrs-AlN膜の調製のための指針を提供した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る