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J-GLOBAL ID：202102227176985453   整理番号：21A1003554

水素発生反応のためのMoS_2基底面硫黄原子の活性化を理解するための物理モデル【JST・京大機械翻訳】

A Physical Model for Understanding the Activation of MoS₂ Basal-Plane Sulfur Atoms for the Hydrogen Evolution Reaction

著者 (3件)： Liu Mingjie (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Hybertsen Mark S. (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Wu Qin (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 59  号： 35  ページ： 14835-14841  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2H-MoS_2基底面への水素原子の弱い結合は水素発生反応の電極触媒としてMoS_2不活性を与えた。遷移金属ドーピングはMoS_2基底面中の隣接硫黄原子を活性化し,水素をより強く結合した。著者らの理論的研究は,3d遷移金属系列を横切るドーパントによる活性化の程度に強い変化を示す。活性化の傾向を理解するために,局所S原子の完全な原子価シェルを部分的に開放するのに必要な電子促進エネルギーに基づくモデルを提案し,従って,H原子との結合を可能にした。一般に,促進はSから隣接金属原子サイトへの電子移動によって達成される。さらに,著者らは,水素結合強度:Δ_dp,ドーパント金属原子上の最低空d状態間の局所バンド間エネルギー分離,およびS上の占有p状態に対する特異的,電子構造ベース記述子を示した。本モデルは,ドープした遷移金属ジカルコゲン化物に基づく将来の触媒設計におけるカルコゲン活性化のためのガイドラインを提供するために使用できる。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水素結合 ,  遷移金属 ,  電子構造 ,  *水素 ,  原子価 ,  ドーピング ,  電極触媒 ,  酸素族元素 ,  ドーパント ,  電子移動 ,  触媒設計 ,  *水素発生反応
準シソーラス用語： *物理モデル ,  水素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結合理論 ,  密度汎関数計算 ,  不均一触媒反応 ,  反応性記述子 ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素発生反応 ,  基底面 ,  硫黄原子 ,  活性化 ,  理解 ,  物理モデル