水溶液処理IGZO TFTを製造するためのダイレクト光反応性パターニング法

MIYAKAWA Masashi; NAKATA Mitsuru; TSUJI Hiroshi; FUJISAKI Yoshihide

文献

J-GLOBAL ID：202102227570586423 整理番号：21A0834577

水溶液処理IGZO TFTを製造するためのダイレクト光反応性パターニング法

Direct Photoreactive Patterning Method for Fabricating Aqueous Solution-Processed IGZO TFTs

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.AMD3-2 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・光反応性添加剤を用いないで,水溶液処理IGZO TFTを製造する為の簡単且つダイレクト光反応性パターニング法を提案。
・UV照射による光反応性化学プロセスとソフトエッチングプロセスで構成される簡易パターニングプロセスを用いて,均一なTFT特性を実現できることを実証。
・本パターニング法は,金属酸化物を用いた誘電体材料や導電性電極と同様に,半導体製造用の様々な水性前駆体に適用可能。

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固体デバイス製造技術一般 , トランジスタ

引用文献 (12件)：

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T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, “Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors,” Sci. Technol. Adv. Mater., vol. 11, no. 4, p. 44305, (2010).
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