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J-GLOBAL ID：202102227672524421   整理番号：21A3412887

人工シナプスのための制御可能なマルチレベル抵抗スイッチングとニューロモルフィック特性を持つ成形フリーPt/Al_2O_3/HfO_2/HfAlO_x/窒化チタンメモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Forming-free Pt/Al₂O₃/HfO₂/HfAlO_x/TiN memristor with controllable multilevel resistive switching and neuromorphic characteristics for artificial synapse

著者 (3件)： Ismail Muhammad (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Mahata Chandreswar (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Kim Sungjun (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 892  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御可能マルチレベル抵抗スイッチング(RS)と神経形態学的特性は,高密度データストレージメモリと人工知能のための電力効率の良い計算ハードウェアを構築するための有望なパラダイムとして現れる。それにもかかわらず,現在の不揮発性メモリは,メムリスタの信頼性と変動性からまだ終わる。本研究では,Pt/Al_2O_3/HfO_2/HfAlO_x/窒化チタン多層メムリスタを原子層堆積(ALD)を用いて調製し,よく制御された多準位RSと神経形態特性を調べた。メムリスタは,成形フリー,低動作電圧(Set/Reset),高スイッチング比(>100),マルチレベル保持時間(104s),および良好な耐久性(1000スイッチングサイクル)を含む,許容可能なRS特性を実証することが分かった。さらに,7と4つの抵抗状態は,リセット操作の間,セット操作と停止電圧を通してCCを調節することによって達成することができた。マルチレベル抵抗状態を調節することにより,電子シナプスはシナプス可塑性,例えば増強/抑制,対パルス促進(PPF)およびスパイク刺激依存性可塑性(STDP)をシミュレートできる。結果は,多層メムリスタが,マルチレベルデータ蓄積メモリと生物工学的携帯電子機器の応用における可能性を有することを示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  電圧 ,  信頼性 ,  *シナプス ,  人工知能 ,  ハードウェア ,  パルス ,  不揮発性メモリ ,  電力効率
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  *マルチレベル ,  シナプス可塑性 ,  *抵抗スイッチング ,  携帯電子機器 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ウェアラブルエレクトロニクス ,  神経形態学的システム ,  電子シナプス ,  多層メモリスタ ,  不揮発性メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 人工 ,  シナプス ,  マルチレベル ,  抵抗スイッチング ,  Pt ,  窒化チタン ,  メモリスタ