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J-GLOBAL ID：202102228259945221   整理番号：21A0532022

MgO(001)上の立方晶WC_y(001)のエピタキシャル成長【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth of cubic WC _y (001) on MgO(001)

著者 (6件)： Fang Peijiao (Department of Materials Science and Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Wang Baiwei (Department of Materials Science and Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Mulligan C.P. (US Army Combat Capabilities Development Command, Armaments Center, Benet Laboratories, Watervliet, NY 12189, USA) ,  Murray T.M. (Colleges of Nanoscale Science & Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY 12203, USA) ,  Khare S.V. (Department of Physics and Astronomy, University of Toledo, Toledo, OH 43606, USA) ,  Gall Daniel (Department of Materials Science and Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 860  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化タングステン膜を,CH_4分率f_CH4=0.4~6%の5mTorrのAr-CH_4混合ガス中で400°CでMgO(001)基板上にスパッタ蒸着し,イオンビーム分析とエネルギー分散X線分光法によって決定されたように,全C-to-W比x=0.57-1.25を得た。立方晶WC_y相におけるC対W比yは,y=0.47~0.68の範囲でxより小さく,y=0.3~1.0に対してa_o=(0.4053+0.0295y)nmの増加を予測する第一原理計算と組み合わせた格子定数a_o測定から決定された。これは,立方晶相が炭素空孔によって安定化され,その層がf_CH4=0.4~6%に対して4%から26%に増加する体積分率を有する非晶質Cを含むことを示唆する。高分解能透過型電子顕微鏡(TEM)と組み合わせたX線回折(XRD)θ-2θ走査,ω-ロッキング曲線,および逆空間マップは,基板とのキューブオンキューブエピタキシャル関係を有するエピタキシャル岩塩構造WC_y(001)層の成長を示す:(001)_WC|(001)_MgOと[100]_WC∥[100]_MgO。8~14nmの測定したXRD面外コヒーレンス長は,膜厚d=10または600nmにほとんど依存せず,d=10nmを超える成長が,f_CH4≦1%およびf_CH4>1%の立方晶ナノ結晶WC_y結晶粒に対して,エピタキシャル破壊および誤配向六方晶または斜方晶W_2C結晶粒の核形成をもたらすことを示唆した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *エピタクシー ,  格子定数 ,  炭素 ,  *酸化マグネシウム ,  非晶質 ,  結晶粒 ,  斜方晶系 ,  *立方晶系 ,  六方晶系 ,  炭化タングステン ,  ロッキングカーブ ,  スパッタ蒸着 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： 逆格子空間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭化タングステン ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  硬質コーティング ,  空格子点 ,  スパッタ蒸着

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： MgO ,  立方晶 ,  エピタキシャル成長