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J-GLOBAL ID：202102228325463876   整理番号：21A1288663

半導体のマイクロ波ボルトインピーダンス分光法【JST・京大機械翻訳】

Microwave Volt-Impedance Spectroscopy of Semiconductors

著者 (4件)： Reznik A. N. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vostokov N. V. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Vdovicheva N. K. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Shashkin V. I. (Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Technical Physics  (Technical Physics)
巻： 65  号： 11  ページ： 1859-1865  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0952A  ISSN： 1063-7842  CODEN： TEPHEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体のマイクロ波ボルトインピーダンス分光法の以前に提案した技術を,実験的に検証した。この技術は半導体の電気的パラメータの局所値を決定することができる。均一単結晶GaAsウエハについて,その頂部に形成された同心アンテナの系を用いて研究を行った。分解能はアンテナ中心ディスク直径によって決定され,それは12,27,および57μmであった。0V≦U≦5Vのdcバイアス電圧をアンテナ接触パッド間に適用した。各アンテナの複素Z(f,U)インピーダンススペクトルを,f=0.1~10GHzの周波数範囲でCascade Microtechプローブステーションで測定した。半導体の電気特性は逆問題を解くことによりZ(f,U)スペクトルから決定された。半導体のn型を確立し,金属との界面での接触電位差を決定した。電子密度,移動度および電気伝導率の局所値を見出した。同じパラメータの表面平均値の4点プローブHall効果測定は,調べた均一ウエハに対する結果の良好な一致を示した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アンテナ ,  移動度 ,  円板 ,  界面 ,  接触電位差 ,  電子密度 ,  電気伝導率 ,  *半導体 ,  *マイクロ波 ,  スペクトル ,  電気特性 ,  逆問題 ,  インピーダンススペクトル
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ波 ,  ボルト ,  インピーダンス分光法