文献

J-GLOBAL ID：202102228665777831   整理番号：21A0147456

相転移と核形成のモンテカルロシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Monte Carlo simulations of phase transitions and nucleation

著者 (1件)： Shekunov Boris (Takeda Pharmaceutical Co., 730 Stockton Drive, Exton, Pennsylvania 19341, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 23  ページ： 235108-235108-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このモンテカルロモデルは界面境界上の分子フラックスを記述し,入力パラメータとして実験的にリンクした熱力学関数を利用する。このシミュレーションを6つの分子間結合を有するKossel立方準格子に適用した。相転移の連続性はナノスケールで互いに動的平衡に共存する相によって生成されることを示した。1次と2次遷移の間に観測されたスイッチは化学ポテンシャルの形で定義され,古典的核形成理論が限界ケースを表す異なる核形成領域を定量化することができる。この機構はまた,クラスタと間欠相の形成のような「非古典的核形成」の鍵となる疑問を扱う。それはEhrenfest分類の新しい定量的正当化を提供し,この基本的熱力学概念を核形成理論に結びつける。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  界面 ,  化学ポテンシャル ,  *核形成 ,  *相転移 ,  熱力学 ,  熱力学関数 ,  クラスタ ,  連続性
準シソーラス用語： *モンテカルロシミュレーション ,  ナノスケール ,  二次遷移 ,  入力パラメータ ,  動的平衡 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相転移 ,  核形成 ,  モンテカルロシミュレーション