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J-GLOBAL ID:202102228672451820   整理番号:21A0984811

平面GaN電力統合 世界は平坦である【JST・京大機械翻訳】

Planar GaN Power Integration - The World is Flat
著者 (7件):
資料名:
巻: 2020  号: IEDM  ページ: 27.1.1-27.1.4  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaNパワーICは,特に高周波電力スイッチング応用の促進に関して,GaNパワーエレクトロニクスのフルポテンシャルをロックするのを助けることが期待される。本論文は,最初に市販のp-GaNゲートHEMT技術に基づくGaN電力統合技術プラットフォームについて議論する。統合ゲートドライバを,強化性能を有するGaN電力ICの例として提示し,その中で,ブートストラップユニットを採用して,レール対レール出力電圧および高速スイッチング速度を実現した。ユニークな動的V_THのようなGaN固有の設計問題に対処するため,p-GaNゲートHEMTのSPICEモデルを開発して設計精度を改善した。GaN電力統合の将来展望を,多機能GaNパワーデバイス,GaN CMOS技術,およびGaN/SiCハイブリッド電力ICの集積の景観を拡張することにより論じた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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