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J-GLOBAL ID:202102228842229276   整理番号:21A3388626

NH_4Clを添加したガス輸送自己伝搬高温合成によるSiC基板上のSi_3N_4被覆の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of Si3N4 coating on SiC substrate by gas transporting self-propagating high-temperature synthesis with the addition of NH4Cl
著者 (10件):
資料名:
巻: 105  号:ページ: 50-54  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高性能窒化ケイ素基板(Si_3N_4)の緊急需要の下で,本論文では,高性能Si_3N_4基板の候補と考えられるNH_4Clを添加した炭化ケイ素(SiC)基板上にSi_3N_4被覆を形成する新しいガス輸送自己伝搬高温合成技術(GTST)を報告した。Si_3N_4被覆の形成に及ぼすNH_4Clの影響を調べ,NH_4Clの関与による反応機構を考察した。NH_4Clの添加はSiC基板の両側に厚さ20-80μmの緻密なSi_3N_4被覆の形成を促進した。反応中,NH_4Clは固体と液体Si粒子を気相SiCl_4に変換するキャリアとして作用し,SiC基板へ輸送する。最後に,SiCl_4は,燃焼波により発生した高温下でSi_3N_4被覆中に窒化物である。さらに,研究機構はGTSTによる他の複雑なセラミック被覆のための指針を提供できる。Copyright 2021 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 
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