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J-GLOBAL ID：202102229048386822   整理番号：21A1049003

光起電力応用のためのスパッタCuS薄膜の特性に及ぼすRF電力の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of RF Power on the Properties of Sputtered-CuS Thin Films for Photovoltaic Applications

著者 (10件)： Shin Donghyeok (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Lee SangWoon (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Kim Dong Ryeol (Photovoltaics Laboratory, Korea Institute of Energy Research, Daejeon 34129, Korea) ,  Kim Dong Ryeol (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Korea) ,  Park Joo Hyung (Photovoltaics Laboratory, Korea Institute of Energy Research, Daejeon 34129, Korea) ,  Kim Yangdo (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Choi Woo-Jin (Energy Convergence Technology Center, Silla University, Busan 46958, Korea) ,  Son Chang Sik (Division of Materials Science and Engineering, Silla University, Busan 46958, Korea) ,  Son Young Guk (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan 46241, Korea) ,  Hwang Donghyun (Division of Materials Science and Engineering, Silla University, Busan 46958, Korea)
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 13  号： 3  ページ： 688  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化銅(CuS)薄膜を40100Wの範囲のRFパワーで高周波(RF)マグネトロンスパッタリング法を用いて室温でガラス基板上に堆積し,CuS薄膜の構造と光学的性質を調べた。蒸着パワーを変えて作製したCuS薄膜は,六方晶結晶構造と(110)面の優先成長配向を示した。Ramanスペクトルは,474cm1周波数において一次鋭く強いピークを明らかにし,265cm1周波数において比較的広いピークを見出した。40WのRFパワーで堆積したCuS薄膜では,小さなボイド間隔を有する比較的小さな高密度粒子は滑らかな薄膜表面を形成した。パワーが増加すると,粒径と粒界間隔が順に増加することが観察された。Cu2p3/2とCu2p1/2の結合エネルギーピークは,それぞれ932.1と952.0eVで観察された。堆積力に関係なく,全てのCuS薄膜に対するCu2+状態結合エネルギーの差は19.9eVで等価であった。162.2と163.2eVのS2状態に対応するS2p3/2とS2p1/2の結合エネルギーピークを観測した。可視スペクトル範囲における透過率とバンドギャップエネルギーは,堆積パワーが増加するにつれて減少傾向を示した。CuS/スズ硫化物(SnS)吸収体層ベース太陽電池(ガラス/Mo/吸収体(CuS/SnS)/硫化カドミウム(CdS)/Intrinic酸化亜鉛(I-ZnO)/インジウムスズ酸化物(ITO)/アルミニウム(Al))について,100WRF電力で堆積したCuS層の上に積層した構造,115mAの開回路電圧(V_oc),9.81mA/cm2の短絡電流密度(J_sc),35%のフィルファクタ(FF),および0.39%の最高電力変換効率(PCE)を記録した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  可視スペクトル ,  結合エネルギー ,  結晶粒界 ,  *光起電力 ,  太陽電池 ,  *薄膜 ,  *電力 ,  硫化銅 ,  六方晶系 ,  吸収体 ,  蒸着
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コベライト ,  CuS薄膜 ,  CuS/SnS吸収体 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  太陽電池

分類 (2件)： 電気自動車  (QG07020B) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (26件)：

• Chaki, S.H.; Tailor, J.P.; Deshpande, M.P. Covllite CuS-Single crystal growth by chemical vapour transport (CVT) technique and characterization. Mat. Sci. Semicon. Proc. 2014, 27, 577-585.
• Hu, R.; Zhang, R.; Ma, Y.; Liu, W.; Chu, L.; Mao, W.; Zhang, J.; Yang, J.; Pu, Y.; Li, X. Enhanced hole transfer in hole-conductor-free perovskite solar cells via incorporating CuS into carbon electrodes. Appl. Phys. Lett. 2018, 462, 840-846.
• Ivan, G. Optical and electrical properties of copper sulfide films of variable composition. J. Solid State Chem. 1995, 114, 469-475.
• Page, M.; Niitsoo, O.; Itzhaik, Y.; Cahen, D.; Hodes, G. Copper sulfide as a light absorber in wet-chemical synthesized extremely thin absorber (ETA) solar cells. Energy Environ. Sci. 2009, 2, 220-223.
• Chung, J.S.; Sohn, H.J. Electrochemical behaviors of CuS as a cathode material for lithium secondary batteries. J. Power Sources 2002, 108, 226-231.

タイトルに関連する用語 (5件)： 光起電力 ,  応用 ,  スパッタ ,  薄膜 ,  RF電力