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J-GLOBAL ID：202102229142699977   整理番号：21A3349025

高密度63.7Jcm-3のエネルギー貯蔵デバイス用の6.5nm厚反強誘電体HfAlO_x膜【JST・京大機械翻訳】

A 6.5 nm thick anti-ferroelectric HfAlO_x film for energy storage devices with a high density of 63.7 J cm^-3

著者 (8件)： Zhou Jiuren (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Kang Yuye (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Wang Xinke (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Zhou Zuopu (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Ni Haotian (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Jiao Leming (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Zheng Zijie (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117576, Singapore)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 1  ページ： 014003 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ドープ-HfO_2膜における高い飽和分極電荷密度とドーピング濃度を達成する包括的に最適化した反強誘電性HfAlO_x膜を実験的に実証した。これにより,高いエネルギー貯蔵密度(ESD)を有する超薄抗強誘電性エネルギー貯蔵デバイスを製造することができた。300°Cの最適堆積温度,18:1のHf:Al比,およびタングステンの電極で,6.5nm厚さの反強誘電性HfAlO_x膜を,63.7Jcm-3の高いESDで実現し,これは,このような高いESDと関連する,すべての報告された研究の中で最も薄い反強誘電性膜である。これは,反強誘電性HfAlO_x膜のスケーリング能力を改善する効果的な方法を提供するだけでなく,相転移の制御を強化する新しいアプローチも示す。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  相転移 ,  タングステン ,  強誘電性 ,  反強誘電性 ,  *反強誘電体 ,  ドーピング ,  エネルギー貯蔵
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  飽和分極 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： エネルギー貯蔵 ,  厚 ,  反強誘電体