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J-GLOBAL ID:202102229347259715   整理番号:21A0986007

中性グラフェン-hBN van der Waalsヘテロ構造における低密度およびエネルギーでのキャリアの超低速再結合【JST・京大機械翻訳】

Ultra-slow recombination of carriers at low density and energy in neutral graphene-hBN van der Waals heterostructures
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巻: 2020  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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中赤外光伝導測定を用いて,低密度およびエネルギーでの光励起キャリアのための~30psのグラフェン/hBNヘテロ構造におけるキャリア寿命について報告する。さらに,有限バイアスおよび/または赤外励起パワーでの双曲線フォノンポラリトン緩和の着火により,約30ps(バンド間Augerからバンド間Auger)までのキャリア寿命のスイッチングを実証した。本研究は,THzレーザ発振のためのグラフェン/hBNヘテロ構造と,フォノンポラリトン光学に対する高感度THz光検出を利用するための興味深い展望を開いた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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