コプレーナa-IGZO TFTリングオシレータを備えた優れた感温素子

RAHAMAN Abidur; HASAN M.M.; CHEN Y.; UM Jae Gwang; BILLAH M.M.; JANG J.

文献

J-GLOBAL ID：202102229563816856 整理番号：21A0834822

コプレーナa-IGZO TFTリングオシレータを備えた優れた感温素子

Excellent Temperature Sensing Device with Coplanar a-IGZO TFT Ring Oscillator

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.MEET3-5 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・本稿では,コプレーナ非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)で作成したリングオシレータ(RO)の温度センサについて説明。
・TFTは,11.2cm²/V.sの電界効果移動度,0.7VのV_th,0.2V/decadeのSS,および非常に低いオフ状態電流を提示。
・発振周波数f_OSCは電源電圧(V_DD(V))と線形関係を示し,V_DD20Vで2MHz以上。
・優れた安定性,線形V_DD依存性,広い周波数範囲,線形温度検出動作により,コプレーナa-IGZO TFTベースのRO温度センサは高性能と結論。

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計測機器一般 , 発振回路

引用文献 (10件)：

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