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J-GLOBAL ID：202102229655684717   整理番号：21A0040997

[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]におけるDiracポーラロンと抵抗率異常【JST・京大機械翻訳】

Dirac Polarons and Resistivity Anomaly in [Formula : see text] and [Formula : see text]

著者 (3件)： Fu Bo (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China) ,  Wang Huan-Wen (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China) ,  Shen Shun-Qing (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, China)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 125  号： 25  ページ： 256601  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移-金属ペンタテルリド[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]における有限温度での抵抗率の鋭いピークである抵抗率異常を40年前に観察し,電気と熱電輸送のよりエキゾチックで異常な挙動を近年明らかにした。ここでは,有限温度での格子変位またはフォノンの巻雲中の大規模なDirac電子と正孔から成るDiracポーラロンの理論を示した。Diracポーラロンの化学ポテンシャルは,温度を上げることによりトポロジーバンド構造のバンドギャップを掃引し,抵抗率異常をもたらす。Diracポーラロンのほぼ中性状態の形成は,電気抵抗率のピークの周りの電気的および熱電抵抗の異常な挙動を説明する。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  化学ポテンシャル ,  正孔 ,  バンド構造 ,  *電気抵抗率 ,  フォノン ,  *ポーラロン ,  バンドギャップ ,  巻雲
準シソーラス用語： 有限温度 ,  Dirac電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 数式 ,  参照 ,  ポーラロン ,  抵抗率