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J-GLOBAL ID:202102229688569343   整理番号:21A0742613

低周波PECVDデバイス堆積AlOx/SiNx不動態膜の性能研究【JST・京大機械翻訳】

PERFORMANCE RESEARCH OF AlOx /SiNx PASSIVATION FILMS DEPOSITED BY LOW FREQUENCY PECVD
著者 (5件):
資料名:
号:ページ: 55-59  発行年: 2020年 
JST資料番号: C4448A  ISSN: 1003-0417  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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AlOx/SiNx不動態化膜の性能を研究した。少数の寿命テストにより、低周波数PECVD装置で直接堆積させたAlOx/SiNx不動態化膜の不動態化性能は弱く、キャリア再結合は深刻であることが分かった。Fourier変換赤外分光(FTIR)を用いてこの現象の原因を分析した結果,Si-AlOx界面が十分な酸化層を持たないため,AlOx膜層内のAl-O四面体構造の割合が小さかった。低周波数PECVD装置にAlOx膜を堆積後、N2O/NH3ガスを通ってプラズマ表面処理を行うことで、表面のキャリア再結合を抑制し、AlOx/SiNx不動態化膜の不動態化性能を著しく改善した。小バッチ生産のPERC太陽電池の平均変換効率は22.48%に達した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
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