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J-GLOBAL ID：202102229966470494   整理番号：21A0089684

Si/Al_2O_3マトリックス中のGe量子ドットの2Dアレイの微細構造と形態【JST・京大機械翻訳】

Microstructure and morphology of 2D arrays of Ge quantum dots in a Si/Al₂O₃ matrix

著者 (8件)： Sokura L A (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Nevedomskiy V N (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Baidakova M V (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Levin A A (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Belolipetsky A V (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Yassievich I N (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia) ,  Ershov A V (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Bert N A (Ioffe Institute, St. Petersburg, 194021, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1697  号： 1  ページ： 012135 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Si/Al_2O_3マトリックスにおけるGeナノ層を有する多層周期構造のアニーリングによって形成したSi/Al_2O_3マトリックスにおける二次元Ge QDアレイのミクロ組織とモルフォロジー研究の結果を示した。シリーズにおける試料の独特の特徴は,Geと酸化アルミニウムマトリックスの間のSi障壁層の位置と厚さである。X線反射率測定および回折および透過電子顕微鏡研究は,大きなAl_6Ge_5微結晶が形成され,多層構造がSiなしで多層試料Al_2O_3/Geのアニーリング後に破壊されることを示した。多層Al_2O_3/Si/Ge構造のSi障壁層の存在はAlとGeの相互拡散を減少させるが,Ge_1-xSi_xナノ結晶はSiとGe相互拡散の結果として形成されることが分かった。このように,Al_2O_3/Ge構造へのSi障壁層の導入は,Siを0.64まで貫通するGe_1-xSi_xナノ結晶の二次元配列を得ることを可能にした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微結晶 ,  焼なまし ,  相互拡散 ,  電子顕微鏡観察 ,  *アルミニウム ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  酸化アルミニウム ,  多層構造 ,  *二次元 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *量子ドット ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： ナノ薄膜 ,  バリア層 ,  X線反射率法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  マトリックス ,  Ge ,  量子ドット ,  2D ,  アレイ ,  微細構造 ,  形態