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J-GLOBAL ID：202102230066648164   整理番号：21A0343827

非極性(11-20)および極性(0001)GaN薄膜のトリエチルアミン検出特性【JST・京大機械翻訳】

Triethylamine sensing characteristics of nonpolar (11-20) and polar (0001) GaN thin films

著者 (3件)： Wang Junjun (Institute of Physics & Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, China) ,  Zhang Zhanying (Institute of Materials Science and Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, China) ,  Rettig Oliver (Institute of Functional Nanosystems, Ulm University, 89081 Ulm, Germany)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 329  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機気相エピタキシー(MOVPE)により,固有nドープa面およびc面GaN薄膜を,それぞれr面およびc面サファイア基板上に堆積することに成功した。c面GaNセンサは480°Cで5.23~200ppmトリエチルアミン(TEA)の応答値を示した。TEA蒸気は480°Cでc面センサに対して1ppmの閾値まで検出可能であった。応答,応答時間および回復時間の組み合わせ信号に従って,干渉ガスからTEAを識別することにより,c面センサに対して優れた選択性が得られた。一方,密度汎関数理論(DFT)シミュレーションを用いて,2つのGaN表面ファセット上のO_2分子の予備吸着を調べた。c面ファセットのO_2分子の周りのはるかに低い吸着エネルギーとはるかに蓄積された電子は,その対応物と比較して,c面センサの上記のより良いTEAセンシング性能を説明する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 干渉 ,  吸着 ,  シミュレーション ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  センサ ,  ファセット ,  非極性 ,  MOCVD ,  密度汎関数法 ,  吸着エネルギー ,  脂肪族アミン ,  第三アミン
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ウルツ鉱型GaN ,  非極性(11-20)ファセット ,  極性(0001)ファセット ,  薄膜 ,  TEAセンシング

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： トリエチルアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： 非極性 ,  極性 ,  GaN ,  薄膜 ,  トリエチルアミン