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J-GLOBAL ID：202102230681188283   整理番号：21A0151597

回路設計に向けた効率的なPWLメモリスタモデル【JST・京大機械翻訳】

An Efficient PWL Memristor Model Towards Circuit Design

著者 (3件)： Zhang Yufei (College of Electronic Science and Technology, National University of Defense Technology,Changsha,China,410073) ,  Li Zhiwei (College of Electronic Science and Technology, National University of Defense Technology,Changsha,China,410073) ,  Chen Changlin (College of Electronic Science and Technology, National University of Defense Technology,Changsha,China,410073)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスタモデルは,メムリスティブチップの設計における一種の必要性である。多数のメムリスタモデルが存在しているが,それらは通常,大規模アレイにおいて満足なシミュレーション速度を示すのにあまりに複雑すぎる。本論文では,異常なシミュレーション効率を持つ区分的線形モデルを提案した。モデルパラメータは,窒化チタン/TaOx/HfOx/窒化チタンメムリスタに適合するように調整することができる。モデルは,乗算と加算のみを含む連続状態方程式によって記述され,従って,大規模アレイシミュレーションにおける計算およびメモリ消費は,著しく減少した。メムリスタネットワークに関するシミュレーションは,著者らのモデルが,最新のモデルの状態より少なくとも5%だけシミュレーション時間を減らすことを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  シミュレーション ,  状態方程式 ,  ネットワーク ,  *回路設計 ,  乗算
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  モデルパラメータ ,  線形モデル ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 回路設計 ,  PWL ,  メモリスタ ,  モデル