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J-GLOBAL ID：202102231585723769   整理番号：21A0697616

SnS結晶の電子状態とラマン活性モードの構造依存性

Theoretical Study on Raman Active Modes of SnS Thin Films

著者 (4件)： 米盛樹生 (関学大 理工) ,  DUTTA Sudipta (インド科学教育研究大) ,  長汐晃輔 (東大 工) ,  若林克法 (関学大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11a-Z29-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： BaTiO3やPbTiO3を除く三次元強誘電体は,膜厚を薄くすると脱分極場や界面効果によって強誘電性が失われる.しかし,面内の結晶構造が非対称な層状物質である硫化スズ(SnS)では,数ナノメートルの極薄構造でも面内の強誘電性を保持できる.S...【本文一部表示】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  界面 ,  強誘電体 ,  結晶構造 ,  半導体 ,  フォノン ,  強誘電性 ,  非対称性 ,  振動モード ,  α相 ,  β相 ,  三次元 ,  *電子状態
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： SNS ,  結晶 ,  電子状態 ,  構造依存性