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J-GLOBAL ID：202102231775418800   整理番号：21A1970969

トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃の作製と物性測定 II

Single Crystal Growth and Characterization of topological superconductor Cu_xBi₂Se₃: II

著者 (5件)： 横山武蔵 (岡山大) ,  西垣颯 (岡山大) ,  俣野和明 (岡山大) ,  神戸高志 (岡山大) ,  ZHENG G.-q. (岡山大)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15aD1-7  発行年： 2021年03月24日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： トポロジカル超伝導体はトポロジカル絶縁体と同様に、バルクと表面で異なる性質を示す。バルクではギャップが開き、表面ではギャップレスの超伝導状態が実現する。また、ギャップレスな表面状態においてマヨラナ粒子の存在が予言されており、注目を集めている...【本文一部表示】

シソーラス用語： *トポロジカル超伝導体 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *銅 ,  *ドーピング ,  *臨界磁場 ,  磁化率 ,  異方性 ,  *セレン化ビスマス ,  *上部臨界磁場

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル超伝導体 ,  作製 ,  物性