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J-GLOBAL ID：202102231858620193   整理番号：21A0696237

P(VDF-TrFE)膜とZnO半導体を用いた接触センサーの圧力によるチャネル電流値変化

Channel current value change due to pressure of contact sensor using P(VDF-TrFE) film and ZnO semiconductor

著者 (3件)： 松本周作 (東京理大) ,  本多稜 (東京理大) ,  古川昭雄 (東京理大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z17-8  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 介護用を目的とした人間共存型のロボットには、人間のように巧緻なロボットハンドリング[1]技術が求められており、接触センシング技術の役割が大きい。本研究はFETのゲート絶縁膜に圧電高分子材料を用いた接触センサー機能を持つデバイスの作製とその性...【本文一部表示】

シソーラス用語： 移動度 ,  真空蒸着 ,  電圧 ,  電子密度 ,  *電流 ,  *半導体 ,  ロボット ,  *酸化亜鉛 ,  圧電気 ,  *導体 ,  スピンコーティング ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  ゲート電圧 ,  ゲート電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： VDF-TrFE ,  ZnO ,  接触センサー ,  チャネル ,  電流値