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J-GLOBAL ID：202102231966991981   整理番号：21A0050420

グラフェン/ヒ化ガリウムヘテロ構造に基づくミリ波/テラヘルツ検出器【JST・京大機械翻訳】

Graphene/GaAs heterostructure based Millimeter/Terahertz wave photodetector

著者 (9件)： Xu Kaiqi (上海師范大学,上海 200234) ,  Xu Huang (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Zhang Jiazhen (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Wu Xiangdong (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Yang Luhan (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Zhou Jie (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Lin Fangting (上海師范大学,上海 200234) ,  Wang Lin (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083) ,  Chen Gang (中国科学院上海技術物理研究所紅外物理国家重点実験室,上海 200083)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 39  号： 5  ページ： 533-539  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単層グラフェンは,低い固有光吸収効率を持ち,材料中に多くの欠陥を含み,グラフェンだけでは高性能の光電デバイスを製作することが難しい。グラフェンと半導体材料とを複合してヘテロ構造を形成する方法は、このボトルネックを克服できる。本仕事では、グラフェン/ヒ化ガリウム高移動度ヘテロトランジスタ構造を利用して、ミリ波光検出器を作製し、二次元電子ガス特性を有効に向上させ、デバイスが室温でのミリ波応答と検出能力を大幅に向上させた。400mVのバイアス電圧で,このデバイスは25GHz帯で20.6Vの利得が得られることを実験で示した。W-1応答率,応答時間は9.8μs,雑音等価パワーは3.2×10-10W?であった。Hz-1/2。テラヘルツ波0.12THzで応答率は4.6Vに達した。W-1,応答時間10μs,ノイズ等価パワー1.4×10-9W?Hz-1/2。この仕事は、グラフェン/ヒ化ガリウムヘテロ構造ミリ波テラヘルツ検出器の巨大な応用前景を示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  光検出器 ,  *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  利得 ,  *EHF波 ,  検出器 ,  応答時間 ,  二次元電子ガス ,  *テラヘルツ波 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  バイアス電圧 ,  単層グラフェン ,  高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaAs-based ,  HEMT ,  graphene ,  Terahertz ,  heterostructure

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  ヒ化ガリウム ,  ヘテロ構造 ,  ミリ波 ,  テラヘルツ ,  検出器