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J-GLOBAL ID：202102232032781465   整理番号：21A2171803

異なる酸素分圧のElectronビーム蒸発により蒸着した非晶質様Ga_2O_3薄膜の調整可能な光学特性【JST・京大機械翻訳】

Tunable Optical Properties of Amorphous-Like Ga2O3 Thin Films Deposited by Electron-Beam Evaporation with Varying Oxygen Partial Pressures

著者 (7件)： Li Shijie ,  Yang Chen ,  Zhang Jin ,  Dong Linpeng ,  Cai Changlong ,  Liang Haifeng ,  Liu Weiguo
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 1760  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_2O_3薄膜を,0から2.0102Paまでの種々の酸素分圧で電子ビーム蒸着技術により作製した。Ga_2O_3膜の結晶構造と光学的性質に及ぼす酸素分圧の影響を,X線光電子分光法(XPS),X線回折(XRD),Raman分光法,分光偏光解析法,紫外-可視分光法およびレーザ誘起損傷試験システムを含む洗練された技術を用いて分析した。光学と材料における酸素分圧と膜特性の間の相関を調べた。XRDとRamanは,すべての膜が,種々の酸素分圧を適用するにもかかわらず,非晶質であることを明らかにした。酸素分圧の変化によって,XPSデータは,Ga_2O_3膜における酸素の含有量が,広く調節可能であることを示した。結果として,Ga_2O_3膜の可変屈折率は実現可能であり,膜の透過率スペクトルにおける吸収端の可変青方偏移が達成可能である。さらに,酸素分圧の上昇に従って,損傷閾値は0.41から7.51J/cm2まで変化した。これらの結果は,Ga_2O_3膜の光学的性質が,膜中の酸素含有量を制御することによって,広く調整できることを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  屈折率 ,  結晶構造 ,  *光学的性質 ,  *蒸発 ,  *薄膜 ,  *酸素 ,  X線回折分析 ,  *非晶質 ,  透過率 ,  青方偏移 ,  電子ビーム蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  吸収端
準シソーラス用語： *酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Ga_2O_3膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  光学特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (20件)：

• Pasquevich, A.F.; Uhrmacher, M.; Ziegeler, L.; Lieb, K.P. Hyperfine interactions of 111Cd in Ga2O3. Phys. Rev. B 1993, 48, 10052-10062.
• Takayoshi, O.; Naoki, A.; Norihito, S.; Shigeo, O.; Shizuo, F. Surface morphology of homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by molecular beam epitaxy. Thin Solid Films 2008, 516, 5768-5771.
• Pearton, S.J.; Yang, J.; Cary, P.H.; Ren, F.; Kim, J.; Tadjer, M.J.; Mastro, M.A. A review of Ga2O3 materials, processing, and devices. Appl. Phys. Rev. 2018, 5, 011301.
• Higashiwaki, M.; Jessen, G.H. Guest editorial: The dawn of gallium oxide microelectronics. Appl. Phys. Lett. 2018, 112, 060401.
• Munho, K.; Seo, J.H.; Singisetti, U.; Ma, Z. Recent advances in free-standing single crystalline wide band-gap semiconductors and their applications: GaN, SiC, ZnO, β-Ga2O3, and diamond. J. Mater. Chem. C 2017, 5, 8338-8354.

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素分圧 ,  ビーム ,  蒸発 ,  蒸着 ,  非晶質 ,  薄膜 ,  光学特性