文献
J-GLOBAL ID:202102232135016605   整理番号:21A0696614

プラズマCVDにより作製したSiO:CH微粒子堆積膜における正DCバイアス印加による構造制御及び撥水特性の向上

Improvement of Structure Controllability and Water Repellency of SiO:CH Particle Films Deposited by Plasma CVD Process with Positive DC Bias
著者 (5件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.9p-Z05-13  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
本文一部表示:
本文一部表示
文献の本文または文献内に掲載されている抄録の冒頭(最大100文字程度)を表示しています。
非表示の場合はJDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌登載から半年~1年程度経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
1.緒言.有機基含有シリカ(SiO:CH)薄膜は,低誘電性や疎水性,ガスバリア性等の特性があることで近年注目されている.超低誘電材料や超撥水材料としての観点から,微細構造化薄膜の堆積プロセス開発が求められている.我々はこれまで,プラズマCV...【本文一部表示】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  薄膜成長技術・装置  ,  酸化物薄膜  ,  プラズマ応用  ,  光物性一般 

前のページに戻る