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J-GLOBAL ID：202102232875525281   整理番号：21A0696549

超伝導体TaC薄膜のグラフェン被覆による転移温度向上

Transition temperature enhancement of superconducting TaC thin film by graphene coverage

著者 (5件)： 近藤大斗 (名大 院) ,  林直輝 (名大 院) ,  伊藤孝寛 (名大 SRセ) ,  遠藤彰 (東大 物性研) ,  乗松航 (名大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9a-Z29-4  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】原子一層厚さの二次元炭素物質であるグラフェン作製手法の一つであるSiC熱分解法では、熱分解後に残存する炭素がグラフェンを形成する。これは、SiC以外の炭化物からもグラフェンが形成される可能性を示唆している。本研究では、超伝導転移温度...【本文一部表示】

シソーラス用語： 単結晶 ,  *超伝導 ,  低温 ,  *転移温度 ,  電子顕微鏡観察 ,  熱分解 ,  炭素 ,  *タンタル ,  *被覆 ,  炭化ケイ素 ,  二次元 ,  薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： TAC ,  薄膜 ,  グラフェン ,  転移温度