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J-GLOBAL ID：202102233216861298   整理番号：21A0168523

効率的な鉛フリースズハロゲン化物ペロブスカイト太陽電池のための材料化学アプローチ【JST・京大機械翻訳】

Materials Chemistry Approach for Efficient Lead-Free Tin Halide Perovskite Solar Cells

著者 (5件)： Nakamura Tomoya (Institute for Chemical Research, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Handa Taketo (Institute for Chemical Research, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Murdey Richard (Institute for Chemical Research, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kanemitsu Yoshihiko (Institute for Chemical Research, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Wakamiya Atsushi (Institute for Chemical Research, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 12  ページ： 3794-3804  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト系光起電力の商業開発は鉛ペロブスカイトの毒性によって妨げられる。スズペロブスカイトは有望な代替であるが,スズペロブスカイト太陽電池の電力変換効率は鉛系デバイスに匹敵するレベルに達していない。スズ-(II)のスズ-(IV)への容易な酸化とペロブスカイト層の形態を制御する困難さを含むいくつかの因子が,より低い効率の原因である。高純度材料の開発および広範な材料キャラクタリゼーションによる改善された製造方法を統合することにより,スズ系ペロブスカイトデバイスの性能を向上させることができた。本研究では,ピンホールフリーで均一なスズペロブスカイト膜の作製方法と共に,スズペロブスカイトのための高度に精製した前駆体材料を紹介した。製造プロセス中のスズ-(II)のスズ-(IV)への酸化はその場還元処理によって抑制され,スズ-(IV)不純物から本質的に遊離するスズペロブスカイト膜をもたらす。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電力 ,  *太陽電池 ,  薄膜 ,  半導体 ,  不純物 ,  *鉛 ,  *スズ ,  *ハロゲン化物 ,  前駆体 ,  キャラクタリゼーション ,  生産工程 ,  高純度物質
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  鉛フリー ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ペロブスカイト ,  半導体 ,  スズ ,  太陽電池 ,  光物理 ,  薄膜

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉛フリー ,  スズ ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  材料化学