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J-GLOBAL ID：202102233227437486   整理番号：21A0031055

ビスマスイオンの注入中のシリカガラス中の光学活性中心の形成【JST・京大機械翻訳】

The formation of optically active centers in silica glass during implantation of bismuth ions

著者 (7件)： Galiulina J. S. (Ural Federal University, 19 Mira St., Yekaterinburg, 620002, Russia) ,  Mamonov A. P. (Ural Federal University, 19 Mira St., Yekaterinburg, 620002, Russia) ,  Koubisy M. S. I. (Department of Physics, Faculty of Science, Al-Azhar University, 71542, Egypt) ,  Shtang T. V. (Ural Federal University, 19 Mira St., Yekaterinburg, 620002, Russia) ,  Biryukov D. Yu. (Ural Federal University, 19 Mira St., Yekaterinburg, 620002, Russia) ,  Gavrilov N. V. (Institute of Electrophysics, Ural Branch of the Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, 620016, Russia) ,  Zatsepin A. F. (Ural Federal University, 19 Mira St., Yekaterinburg, 620002, Russia)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2313  号： 1  ページ： 030015-030015-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学的に透明なSiO_2ガラスを,異なる線量の30keVのBiイオンでパルスモードで注入した:1016,5,1016,1017,31017pcs/cm2。研究したSiO_2試料へのイオンの侵入の深さは,SRIMソフトウェアパッケージを用いて推定され,深さ範囲は10~60nmであった。光吸収スペクトルを真空分光光度計McPhson VuVAS 1000 Plで記録した。それは,非元素形を持ち,それは,ビスマスイオンと同様に,二酸化ケイ素ガラスの固有欠陥に関連する活性中心と構造欠陥の存在を示す。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  *ガラス ,  分光光度計 ,  二酸化ケイ素 ,  *石英ガラス ,  *光学活性 ,  放射線量 ,  プログラムパッケージ ,  パルス ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： 構造欠陥 ,  *ビスマスイオン ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ビスマスイオン ,  注入 ,  シリカガラス ,  光学活性