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J-GLOBAL ID：202102233392816497   整理番号：21A1821091

ナノ摩擦におけるフォノン散逸モード【JST・京大機械翻訳】

The Phonon Dissipation Mode in Nanofriction

著者 (5件)： Duan Zaoqi (Southeast University, Nanjing, China) ,  Cai Shuang (Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Yan (Southeast University, Nanjing, China) ,  Chen Yunfei (Southeast University, Nanjing, China) ,  Dong Yun (Southeast University, Nanjing, China)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE2016  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォノン散逸を,この論文で支持グラフェン上のグラフェンフレーク滑りをモデル化する分子動力学(MD)シミュレーションを通して研究した。MDの利点の助けを借りて,フォノン状態密度の観点から,摩擦挙動によって誘起される基板のフォノンモード変化を調べた。さらに,相対滑り速度およびシステムの温度と結合したフォノン散逸モードをそれぞれ確立した。シミュレーション結果は,フォノン散逸が特別なフォノン周波数として表現され,一方,それらは滑り速度に密接に関連しているが,温度の変化としてはシフトしないことを示した。特別な周波数の説明のために,MDモデルにおけるフレークの原子に速度を直接追加することによって,モデルをさらに単純化するが,それは実用的ではない。フォノン散逸の特別な周波数は,一般的に,温度の干渉を50m/sから250m/sまで,温度の干渉を除去する低温における滑り周波数と一致し,速度は,フォノン散逸と摩擦のモードに直接関連しており,これは,速度が,実験と理論研究の両方で,摩擦の影響因子であると,以前に報告された結果と一致する。したがって,この関係は摩擦のアクティブ制御を可能にする。原子スケールの摩擦の研究における基本的な疑問を明らかにするために,この方法を使用する最初のステップである。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  低温 ,  *フォノン ,  簡素化 ,  フレーク ,  アクティブ制御 ,  分子動力学 ,  滑り速度 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 影響因子 ,  *ナノ摩擦 ,  フォノン状態密度 ,  フォノンモード ,  原子スケール ,  フォノン周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ摩擦 ,  フォノン ,  散逸