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J-GLOBAL ID：202102233544904942   整理番号：21A1094111

マイクロ波チップAu80Sn20全自動共晶溶接プロセス【JST・京大機械翻訳】

Fully Automatic Au80Sn20 Eutectic Soldering Process for Microwave Chip

著者 (4件)： Feng Xiaojing (西安空間无線電技術研究所,陜西 西安 710000) ,  Xia Weijuan (西安空間无線電技術研究所,陜西 西安 710000) ,  Sun Peng (西安空間无線電技術研究所,陜西 西安 710000) ,  Lian Kai (西安空間无線電技術研究所,陜西 西安 710000)
資料名： Dizi Gongyi Jishu  (Dizi Gongyi Jishu)
巻： 41  号： 6  ページ： 346-349  発行年： 2020年 
JST資料番号： C4416A  ISSN： 1001-3474  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マイクロ波チップ自動Au80Sn20共晶溶接プロセスを紹介した。マイクロ波GaAsチップと可伐性担体を,全自動装置でAu80Sn20共晶溶接し,その外観,空洞率,および溶接強度を,顕微鏡,X-ray試験,および引張力試験によって研究した。研究により、摩擦溶接方式では、生産需要に応じて適切な溶接片の切り出し方式、溶接片の寸法、摩擦幅を選択し、良好な共晶溶接効果が得られることが分かった。その結果,チップの表面は汚染がなく,はんだのスピルオーバは要求に合致し,空洞率は25%以下であり,剪断強度は111.9N(1.96mm2面積のチップ)に達し,標準の要求を満たした。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共晶 ,  *マイクロ波 ,  セグメンテーション ,  *溶接 ,  摩擦溶接 ,  ヒ化ガリウム ,  剪断強さ ,  はんだ ,  引張力 ,  スピルオーバ
準シソーラス用語： 溶接強度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ろう付  (WC07050C) ,  溶接技術  (WC07030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ波 ,  共晶 ,  溶接プロセス