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J-GLOBAL ID:202102233891125020   整理番号:21A3312718

電界放出特性のためのZnO-NWs/Cu系金属ガラスナノチューブアレイ(ZNWs/Cu-MeNTA)【JST・京大機械翻訳】

ZnO-NWs/Cu-based metallic glass nanotube array (ZNWs/Cu-MeNTA) for field emission properties
著者 (5件):
資料名:
巻: 890  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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新しいZnO-NWs/Cu系金属ガラスナノチューブアレイ(ZNWs/Cu-MeNTA)ヘテロ構造の電界放出特性を調べた。試料を後処理として管炉中で大気圧で1時間300°Cで焼鈍した。ターンオン電場E_on(電流密度0.1μA/cm2)および蒸着および300°CアニールしたZNWs/Cu-MeNTAに対する対応する電界増強因子βは,それぞれ1.47V/μm,13,042および1.77V/μm,10,954であった。電場のターンオンの増加は,熱処理後の堆積したままのZNWs/Cu-MeNTAの酸化による可能性がある。結晶化は電界放出測定後に増強されるが,ZnO-NWsの一部は破壊する。堆積したままのZNWs/Cu-MeNTAの逐次電界放出測定でE_onは(1.29~1.47V/μm)増加した。さらに,E_onは,300°Cでアニールした熱後処理ZNWs/Cu-MeNTAに対して,(2.26~1.77V/μm)減少した。この現象は,増強された結晶化とZnO-NWs量の間のトレードオフによるもので,それぞれ,磁場で減少と増加を引き起こす。電界放出研究のためのこの新規ナノ構造は,将来のミニディスプレイデバイス,オプトエレクトロニクス,センサ,圧電ナノ発電機,太陽電池および電池応用に有用である。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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熱電子放出,電界放出 

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