文献

J-GLOBAL ID：202102234164487292   整理番号：21A1474967

SrS/Bi_2S_3ナノ複合材料の微小花とその電界放出特性【JST・京大機械翻訳】

Micro Flowers of SrS/Bi2S3 Nanocomposite and Its Field Emission Properties

著者 (8件)： Gunjal Aarti R. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  Chothe Ujjwala P. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  Sethi Yogesh A. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  Panmand Rajendra P. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  Ambekar Jalinder D. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  Kulkarni Milind V. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India) ,  More Mahendra A. (Department of Physics, Savitribai Phule Pune University, Pune 411007, India) ,  Kale Bharat B. (Centre for Materials for Electronics Technology (C-MET), Ministry of Electronics and Information Technology (MeitY), Government of India, Panchawati Off Pashan Road, Pune 411008, India)
資料名： Journal of Composites Science (Web)  (Journal of Composites Science (Web))
巻： 3  号： 4  ページ： 105  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7215A  ISSN： 2504-477X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元階層的SrS/Bi_2S_3ヘテロ構造を,テンプレートフリー一段階水熱法により合成した。構造および形態学的研究は,高いアスペクト比を有する棒状形態を有する単結晶斜方晶系ヘテロ構造の形成を明らかにした。SrS/Bi_2S_3ナノロッドの電界放出特性を調べた。JEとFowlerNordheim(FN)プロット,ならびに長期電界放出(FE)安定性を研究した。SrS/Bi_2S_3ナノフラワーは,元のBi_2S_3よりもFE特性を強化した。約1A/cm2の発光電流密度を引き出すために定義されたSrS/Bi_2S_3の再現可能なターンオン電場の観測値は約2.50V/mであり,約10A/cm2の電流密度を引き出す閾値場は,約3.00V/m(可視光照明なし)であることが分かった。約527A/cm2の最大放出電流密度は,光なしで,約1078A/cm2の電流密度で引き出され,それは,元のBi_2S_3のものより高い。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  単結晶 ,  *電界放出 ,  発光 ,  照明 ,  アスペクト比 ,  電流密度 ,  可視光 ,  斜方晶系 ,  三次元 ,  モルフォロジー ,  ナノロッド
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノフラワー ,  ターンオン電界 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電界放出 ,  SrS/Bi_2S_3 ,  水熱法

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

引用文献 (22件)：

• Yu, X.; Cao, C. Photoresponse and Field-Emission Properties of Bismuth Sulfide Nanoflowers. Cryst. Growth Des. 2008, 8, 3951.
• Zhai, T.L.; Ma, L.Y.; Liao, M.; Wang, X.; Fang, X.; Yao, J.; Bando, Y.; Golberg, D. One-dimensional inorganic nanostructures: Synthesis, field-emission and photodetection. Chem. Soc. Rev. 2011, 40, 2986.
• Panmand, R.P.; Sethi, Y.A.; Deokar, R.S.; Late, D.J.; Gholap, H.M.; Baeg, J.; Kale, B.B. In situ fabrication of highly crystalline CdS decorated Bi2S3 nanowires (nano-heterostructure) for visible light photocatalyst application. RSC Adv. 2016, 6, 23508-23517.
• Yu, Y.; Jin, C.H.; Wang, R.H.; Chen, Q.; Peng, L.-M. High-Quality Ultralong Bi2S3 Nanowires: Structure, Growth, and Properties. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 18772-18776.
• Warule, S.S.; Kashid, R.V.; Shinde, D.R.; Chaudhari, N.S.; Kale, B.B.; More, M.A. Architectured Bi2S3 nanoflowers: Photoenhanced field emission study. J. Nanopart Res. 2012, 14, 889.

タイトルに関連する用語 (5件)： SRS ,  ナノ複合材料 ,  微小 ,  花 ,  電界放出