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J-GLOBAL ID:202102234475398040   整理番号:21A2170527

制御されたインクジェット印刷薄膜トランジスタの紫外光検出およびプラズモン-電気変換【JST・京大機械翻訳】

Ultraviolet Photodetecting and Plasmon-to-Electric Conversion of Controlled Inkjet-Printing Thin-Film Transistors
著者 (5件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 458  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7252A  ISSN: 2079-4991  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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三次元(3D)チャネル構造を有する酸化亜鉛系薄膜トランジスタ(ZnOベースTFT)の直接インクジェット印刷を,紫外線(UV)と可視光光検出に対して示した。ここでは,温度誘起Marangoni流を用いて,温度勾配によりチャネル幅を318.944.1mから180.113.9mに狭めることができるチャネル構造を実証した。さらに,簡単で効率的な酸素プラズマ処理を用いて,約105のスイッチングION/IFF比の電気特性を強化した。したがって,安定で優れたゲートバイアス制御フォトトランジスタを作製し,紫外(UV)と可視光センシングのために詳細に特性化した。光検出器は,UV照射により発生した大きなドレイン電流の2桁以上の顕著な増加で優れた光応答を示した。結果は,直接パターニングインクジェット印刷技術によるUV光検出器の開発に有用である。さらに,プラズモン効果を用いてプラズモンエネルギー検出を可能にする金属-半導体接合構造がプラズモンエネルギーから電気信号への効率的な変換であることも示した。このデバイスは,可視光の曝露で,異なる光出力密度の下で,閾値電圧の負のシフトを示した。ZnO系TFTsにより,紫外光検出のみが可視光波長に拡大した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  測光と光検出器一般 
引用文献 (40件):
  • Vegiraju, S.; Chang, B.C.; Priyanka, P.; Huang, D.Y.; Wu, K.Y.; Li, L.H.; Chang, W.C.; Lai, Y.Y.; Hong, S.H.; Yu, B.C.; et al. Intramolecular Locked Dithioalkylbithiophene-Based Semiconductors for High-Performance Organic Field-Effect Transistors. Adv. Mater. 2017, 29, 1702414.
  • Zhao, Q.; Wang, H.; Ni, Z.; Liu, J.; Zhen, Y.; Zhang, X.; Jiang, L.; Li, R.; Dong, H.; Hu, W. Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem. Adv. Mater. 2017, 29, 1701907.
  • Chen, Z.; Zhang, W.; Huang, J.; Gao, D.; Wei, C.; Lin, Z.; Wang, L.; Yu, G. Fluorinated Dithienylethene-Naphthalenediimide Copolymers for High-Mobility n-Channel Field-Effect Transistors. Macromolecules 2017, 50, 6098-6107.
  • Kim, D.; Kim, Y.; Lee, S.; Kang, M.S. High Resolution a-IGZO TFT Pixel Circuit for Compensating Threshold Voltage Shifts and OLED Degradations. IEEE J. Electron. Devices Soc. 2017, 5, 372-377.
  • Yang, Y.; Rice, B.; Shi, X.; Brandt, J.R.; Correa Da Costa, R.; Hedley, G.J.; Smilgies, D.M.; Frost, J.M.; Samuel, I.D.W.; Otero-De-La-Roza, A.; et al. Emergent Properties of an Organic Semiconductor Driven by its Molecular Chirality. ACS Nano 2017, 11, 8329-8338.
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