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J-GLOBAL ID:202102234566575051   整理番号:21A0387069

Cu_2MnSnS_4非対称デバイスの優れたスーパーキャパシタ性能【JST・京大機械翻訳】

Superior supercapacitive performance of Cu2MnSnS4 asymmetric devices
著者 (6件):
資料名:
巻:号:ページ: 486-498  発行年: 2021年 
JST資料番号: W5051A  ISSN: 2516-0230  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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再生可能エネルギー源は,今日の現代世界に対する持続可能な未来を達成する corner石と考えられている。エネルギー貯蔵デバイスに関する現在の研究では,遷移金属硫化物が優れた電極材料として研究されている。本研究では,Cu_2MnSnS_4の電気化学的性能とその作製に用いた構造指向剤の変化によるミクロ/ナノ構造変化を調べた。硫化物堆積物の合成を標準特性評価技術により確認した。電荷貯蔵電気化学的活性を,電気化学的キャラクタリゼーション技術によって調べた。さらに,電気化学的電荷貯蔵挙動はCu_2MnSnS_4によって増強された。得られた最良のサイクル安定性は,3電極配置におけるAA,CAおよびOA電極に対して5000サイクル以上の容量保持の83%,87%および89%であり,一方,作製したデバイスにおいて21000サイクル後に80.35%の静電容量保持および97.54%のクーロン効率を達成した。製造したままのデバイスは,2電極セットアップで1Ag-1の電流密度で27Whkg-1のエネルギー密度と759Wkg-1の出力密度を示した。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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静電機器 
タイトルに関連する用語 (2件):
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