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J-GLOBAL ID：202102235115120812   整理番号：21A1273076

誘電体材料としてのPVA/ZnOナノ複合材料に基づく新規薄膜キャパシタの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of novel thin film capacitor based on PVA/ZnO nanocomposites as dielectric material

著者 (2件)： Nivin T S (Department of Physics, Amrita School of Arts and Sciences, Amrita Vishwa Vidyapeetham, Amritapuri, India) ,  Sindhu S (Department of Physics, Birla Institute of Technology and Science, Pilani, India)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 43  号： 1  ページ： 299  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電体材料としてPVA/ZnOナノ複合材料を用いて3層薄膜キャパシタを設計し製作した。ZnOナノ粒子の添加は誘電率の変化を示し,周波数と重量パーセントで変化した。0.5%の重量パーセントのZnOナノ粒子を,費用対効果と簡単な共沈法を用いて,54nmの粒径を有するナノ粒子の合成のために選択した。それは不純物のない大規模生産のための低コスト方法である。凝集は澱粉分子の添加により減少し,O-H官能基は初期核形成段階でナノ粒子に一緒に保持でき,遠心分離による精製を行うと除去できた。Fourier変換赤外分光法分析は,高分子骨格,CH_2非対称および対称伸縮,C-C伸縮およびZn-O伸縮におけるO-H基によるピークを示し,適切な膜の形成を示した。プロフィルメータから,厚さは誘電体膜に対して15.73nmと計算された。作製したデバイスは,298Kで理論値(254.451nFm-2)で,210nFm-2のキャパシタンスを示した。Copyright Indian Academy of Sciences 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  凝集 ,  対称性 ,  不純物 ,  誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  遠心分離 ,  *酸化亜鉛 ,  澱粉 ,  非対称性 ,  静電容量 ,  *薄膜コンデンサ ,  プロフィルメータ ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 官能基 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜キャパシタ ,  ZnOナノ粒子 ,  ポリビニルアルコール

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体材料 ,  ZnO ,  ナノ複合材料 ,  薄膜キャパシタ ,  作製