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J-GLOBAL ID：202102235426679024   整理番号：21A3310614

hBAsとXMY(M=Mo,W;(X=Y)=S,Se)単層のVan der Waalヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】

Van der Waal heterostructure of hBAs and XMY (M = Mo, W; (X≠Y) = S, Se) monolayers

著者 (5件)： Alrebdi Tahani A. (Department of Physics, College of Science, Princess Nourah Bint Abdulrahman University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Idrees M. (Department of Physics, Abbottabad University of Science & Technology, Abbottabad 22010, Pakistan) ,  Munawar M. (Department of Physics, Abbottabad University of Science & Technology, Abbottabad 22010, Pakistan) ,  Alkallas F.H. (Department of Physics, College of Science, Princess Nourah Bint Abdulrahman University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Amin B. (Department of Physics, Abbottabad University of Science & Technology, Abbottabad 22010, Pakistan)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 552  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： hBAとXMY(M=Mo,W;(X≠Y)=S,Se)単分子層に基づくvan der Waalsヘテロ構造の2つのモデルで4つの可能な配置パターンを形成した。4つの可能な構成パターンから,エネルギー的に安定な積層(a)の動的および熱的安定化の両方を調べた。積層(a)におけるBAs-SMoSe(BAs-SeMoS)とBAs-SWSe(BAs-SeWS)vdWヘテロ構造は,タイプIIバンド配向を有する直接バンドギャップ特性の半導体であり,太陽エネルギー変換デバイスにおける顕著な実装を示した。BAs-SMoSeとBAs-SWSe(BAs-SeWS)vdWヘテロ構造の酸化還元電位のエネルギー的に有利な位置は,pH=0での水の分裂に適合性を示した。さらに,これらのvdWヘテロ構造における効率的な層間電荷移動は,電子構造,従って吸収スペクトル(ε_2(ω))を調整する。また,ε_2(ω)は,研究したvdWヘテロ構造の下で,励起子が最低エネルギー遷移を支配することを示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  吸収スペクトル ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  *半導体 ,  励起子 ,  酸化還元電位 ,  単分子層 ,  適応性 ,  単一層
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  太陽エネルギー変換 ,  直接バンドギャップ ,  van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： Monolayer ,  Van der Waals heterostructure ,  Stable stacking ,  Direct bandgap nature ,  Type-II band-alignment ,  Solar energy conversion ,  Electronic structure ,  Absorption spectra

分類 (2件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： Se ,  単層 ,  VAN ,  ヘテロ構造