Czochralski法による大サイズバルクβ-Ga_2O_3単結晶の育成困難性の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Tang Xia; Liu Botao; Yu Yue; Liu Sheng; Gao Bing

文献

J-GLOBAL ID：202102235498731528 整理番号：21A2038527

Czochralski法による大サイズバルクβ-Ga_2O_3単結晶の育成困難性の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Analysis of Difficulties of Growing Large-Size Bulk β-Ga2O3 Single Crystals with the Czochralski Method

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=21A2038527&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=21A2038527&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U7169A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 11 号： 1 ページ： 25 発行年： 2020年
JST資料番号： U7169A ISSN： 2073-4352 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

Czochralski法による大型バルク-Ga_2O_3単結晶の成長の困難さを数値的に解析した。直径4および6インチの結晶に対する流れおよび温度場を研究した。結晶直径が大きく,るつぼ空間が小さくなると,結晶エッジ近くの流れ場は制御されず,不合理な温度場をもたらし,界面速度を相境界形状に非常に敏感にする。結晶直径の増加によるシード回転の効果も調べた。結晶直径の増加とともに,シード回転の影響は,より不均一な温度分布を引き起こした。Czochralski法による大型バルク-Ga_2O_3単結晶の成長の困難さは,螺旋成長に起因する。結晶成長界面を更新するために動的メッシュ技術を用いて,計算結果は,4インチ結晶の固液界面がわずかに凸であり,中心がわずかに凹形であることを示した。結晶成長時間の増加に伴い,円筒結晶の対称性は壊れ,螺旋成長をもたらす。6インチ結晶の数値結果は,全固体液体界面が凹型で不安定であり,結晶成長に役立たないことを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： , ,

酸化物の結晶成長 , 結晶成長一般 , 半導体の結晶成長

引用文献 (14件)：

Lee, S.-D.; Akaiwa, K.; Fujita, S. Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates. Phys. Status Solidi C 2013, 10, 1592-1595.
Fornari, R.; Pavesi, M.; Montedoro, V.; Klimm, D.; Mezzadri, F.; Cora, I.; Pécz, B.; Boschi, F.; Parisini, A.; Baraldi, A.; et al. Thermal stability of ε-Ga2O3 polymorph. Acta Mater. 2017, 140, 411-416.
Kim, M.; Seo, J.-H.; Singisetti, U.; Ma, Z. Recent advances in free-standing single crystalline wide band-gap semiconductors and their applications: GaN, SiC, ZnO, b-Ga2O3, and diamond. J. Mater. Chem. C 2017, 5, 8338-8354.
Mastro, M.A.; Kuramata, A.; Calkins, J.; Kim, J.; Ren, F.; Pearton, S.J. Opportunities and future directions for Ga2O3. ECS J. Solid State Sci. Technol 2017, 6, 356-359.
Sasaki, K.; Higashiwaki, M.; Kuramata, A.; Masui, T.; Yamakoshi, S. MBE grown Ga2O3 and its power device applications. J. Cryst. Growth 2013, 378, 591.

, , , , ,

前のページに戻る