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J-GLOBAL ID：202102236097752611   整理番号：21A3412857

電界放出とメモリスタ応用のための塔状MoS_2ナノ結晶膜の電流ヒステリシス効果【JST・京大機械翻訳】

The current hysteresis effect of tower-like MoS₂ nanocrystalline film for field emission and memristor applications

著者 (9件)： Chen Jiangtao (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics & Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, PR China) ,  Chen Jiangtao (Institute of Nanomaterials Application Technology, Gansu Academy of Science, Lanzhou 730000, PR China) ,  Dong Xiaofei (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics & Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, PR China) ,  Shang Lunlin (Laboratory of Clean Energy Chemistry and Materials, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, PR China) ,  Chen Jianbiao (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics & Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, PR China) ,  Zhao Yun (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics & Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, PR China) ,  Yang Bingjun (Laboratory of Clean Energy Chemistry and Materials, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, PR China) ,  Wu Zhiguo (Institute of Nanomaterials Application Technology, Gansu Academy of Science, Lanzhou 730000, PR China) ,  Li Yan (Key Laboratory of Atomic and Molecular Physics & Functional Materials of Gansu Province, College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 892  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,マグネトロンスパッタ二硫化モリブデン(MoS_2)ナノ結晶膜に対する電流-電圧特性のヒステリシス効果を調べた。MoS_2冷陰極の電界放出ヒステリシスを,電圧上昇/下向きの掃引モードによって研究し,真空圧は,放出電流のヒステリシスに顕著な影響を及ぼし,そして,全体のヒステリシスは,圧力が上昇するにつれて,より顕著になった。また,著者らは,上部電極として熱蒸着Alドットと底部電極として銅箔基板を用いてMoS_2膜の電流-電圧挙動を実証した。Al/MoS_2/Cu構成デバイスは,明白な電流ヒステリシス効果を示し,電圧掃引時間の増加とともに電流が増加した。ヒステリシスの可能な機構をここに提案し,また,研究は,電界エミッタやメモリスタデバイスのような応用におけるマグネトロンスパッタMoS_2ナノ結晶膜の開発に大きな有望性を提供する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  電圧 ,  *電界放出 ,  *電流 ,  ヒステリシス ,  アルミニウム ,  電流電圧特性 ,  *塔状構造物 ,  *ナノ結晶 ,  銅箔
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  電界エミッタ ,  冷陰極 ,  *メモリスタ ,  放出電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS_2ナノ結晶膜 ,  ヒステリシス ,  電界放出 ,  メモリスタ ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  磁気的性質  (WB02020J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界放出 ,  メモリスタ ,  応用 ,  塔 ,  ナノ結晶 ,  ヒステリシス効果