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J-GLOBAL ID：202102236568049954   整理番号：21A1821917

ナノスケール閉込めレーザ結晶化における輸送と界面現象【JST・京大機械翻訳】

Transport and Interfacial Phenomena in Nanoscale Confined Laser Crystallization

著者 (2件)： Shou Wan (Missouri University of Science and Technology, Rolla, MO) ,  Pan Heng (Missouri University of Science and Technology, Rolla, MO)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： MSEC2017  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール材料のレーザ加工(焼結,融解,結晶化およびアブレーション)は,集積回路および新しい印刷可能なエレクトロニクスの両方を含むエレクトロニクス製造に広く使用されている。半導体デバイスにおける多くの応用は,高結晶性膜の成長を本質的に促進しない基板上に高品質結晶ドメインを作製するアニーリング段階を必要とする。FinFET(Fin型電界効果トランジスタ)および3D集積回路(3D-IC)の最近の出現は,ナノ/ミクロ閉じ込めドメインにおける非晶質材料の結晶化の研究に着想した。分子動力学(MD)シミュレーションを用いて,ナノ/ミクロスケール閉じ込めドメイン内の非シード結晶化の特性について研究した。最初に,非シード結晶化が閉込め効果によって促進される単結晶ドメインを得られることを実証した。現象論的モデルを開発し,MDシミュレーションで調整し,単結晶形成に及ぼすドメインサイズと加工レーザパルス幅の影響を定量的に評価した。第二に,拘束壁上の結晶化挙動を予測するために,熱力学積分スキームを用いてSi-SiO_2界面の界面エネルギーを計算した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *結晶化 ,  シミュレーション ,  集積回路 ,  焼結 ,  焼なまし ,  単結晶 ,  FET【トランジスタ】 ,  電子技術 ,  種結晶 ,  三次元 ,  アブレーション ,  ナノ材料
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  閉込め ,  レーザ結晶 ,  輸送 ,  界面現象