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J-GLOBAL ID:202102236597066907   整理番号:21A0045885

全銅プロセスに基づく750A/6500V高性能IGBTモジュール【JST・京大機械翻訳】

High Performance 750A/6500V IGBT Module Based on Full-Copper Processes
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号: 21  ページ: 4501-4510  発行年: 2020年 
JST資料番号: C2502A  ISSN: 1000-6753  CODEN: DIJXE5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高圧大容量IGBTモジュールの内部異質材料の熱膨張係数不整合は、モジュールの疲労老化破壊の主なメカニズムである。モジュール異質材料間の熱膨張係数の差異を低減させ、その電力循環能力と長期運転信頼性を高めるため、本論文では、電力モジュールに全銅材料実線電気相互接続の考え方を提案し、IGBTチップ銅金属化、銅リードボンディングと銅母線端子超音波溶接などの新技術を系統的に研究した。IGBT電力モジュールの完全銅化パッケージの完成プロセスを実現し、全銅プロセスに基づく大容量高性能750A/6500VIGBTモジュールを開発し、初めて全銅プロセスの高圧モジュールを実現した。従来のアルミニウムプロセスと比較して,全銅プロセスモジュールは,ターンオン損失を10%低下させ,サージ電流を20%増加させ,そして,電力サイクル能力を,16倍改善し,そして,電力モジュールの運転靱性および応用信頼性を,改善した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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電力変換器  ,  電力系統一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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