抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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第一原理密度汎関数理論シミュレーションを行って,異なる厚さと温度を有する超薄インジウムスズ酸化物(ITO)膜の電子構造と光電子特性を予測した。著者らの結果は,ITOの超薄膜の物理特性が,温度よりも膜厚と直接の関係を有することを予測した。さらに,ITO(1nm厚さ)の薄膜は,2および3nm厚さのITO膜と比較して,可視光領域でより大きな吸収係数,低い反射率およびより高い透過率を有することを見出した。これは,1nm厚さのITO膜におけるより強い表面歪効果による可能性があることを示唆する。他方,3つの薄膜はすべて類似の光学スペクトルを生成した。最後に,ITOの超薄膜の計算した電気抵抗率と実験データの計算値の間に優れた一致が見られた。電気抵抗は,短い歪長さと限定されたバンドギャップ分布のため,ITOの膜厚の増加とともに減少すると結論した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】