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J-GLOBAL ID：202102236745705104   整理番号：21A2038532

極薄インジウムすず酸化物膜のオプトエレクトロニクス特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic Properties of Ultrathin Indium Tin Oxide Films: A First-Principle Study

著者 (3件)： Liu Xiaoyan ,  Wang Lei ,  Tong Yi
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 11  号： 1  ページ： 30  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度汎関数理論シミュレーションを行って,異なる厚さと温度を有する超薄インジウムスズ酸化物(ITO)膜の電子構造と光電子特性を予測した。著者らの結果は,ITOの超薄膜の物理特性が,温度よりも膜厚と直接の関係を有することを予測した。さらに,ITO(1nm厚さ)の薄膜は,2および3nm厚さのITO膜と比較して,可視光領域でより大きな吸収係数,低い反射率およびより高い透過率を有することを見出した。これは,1nm厚さのITO膜におけるより強い表面歪効果による可能性があることを示唆する。他方,3つの薄膜はすべて類似の光学スペクトルを生成した。最後に,ITOの超薄膜の計算した電気抵抗率と実験データの計算値の間に優れた一致が見られた。電気抵抗は,短い歪長さと限定されたバンドギャップ分布のため,ITOの膜厚の増加とともに減少すると結論した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  シミュレーション ,  電気抵抗率 ,  電子構造 ,  薄膜 ,  反射率 ,  *インジウム ,  *スズ ,  *オプトエレクトロニクス ,  透過率 ,  密度汎関数法 ,  超薄膜 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  計算値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ITO ,  オプトエレクトロニクス ,  第一原理計算

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (41件)：

• Gokceli, G.; Karatepe, N. Improving the properties of indium tin oxide thin films by the incorporation of carbon nanotubes with solution-based techniques. Thin Solid Films 2020, 697, 137844.
• Woong, S.J.; Anthony, H.F. Is indium tin oxide a suitable electrode in organic solar cells? Photovoltaic properties of interfaces in organic p/n junction photodiodes. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 093504.
• Hong, C.H.; Shin, J.H.; Ju, B.K.; Kim, K.H.; Park, N.M.; Kim, B.S.; Cheong, W.S. Index-matched indium tin oxide electrodes for capacitive touch screen panel applications. J. Nanosci. Nanotechnol. 2013, 13, 7756-7759.
• Semenza, P. New transparent conductors take on ITO for touch-screen and display applications. Inf. Disp. 2013, 29, 40-42.
• Ji, H.Y.; Parida, B.; Park, S.; Kim, M.J.; Chung, S.J.; Kim, K. Enhancement effect of short-circuit currents of Si solar cells with inclusion of indium tin oxide layers on metal-semiconductor interfaces. Jpn. J. Appl. Phys. 2015, 54, 100306.

タイトルに関連する用語 (4件)： インジウムすず酸化物 ,  オプトエレクトロニクス ,  第一原理 ,  研究