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J-GLOBAL ID：202102237034648182   整理番号：21A2917247

窒化ガリウムはペプチドによる官能化前後の生体適合性及び非毒性である【JST・京大機械翻訳】

Gallium nitride is biocompatible and non-toxic before and after functionalization with peptides

著者 (6件)： Jewett Scott A. (Weldon School of Biomedical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Makowski Matthew S. (Weldon School of Biomedical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Makowski Matthew S. (Indiana University School of Medicine, Indianapolis, IN 46202, USA) ,  Andrews Benjamin (Department of Biochemistry, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Manfra Michael J. (Department of Physics, School of Materials Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Ivanisevic Albena (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Joint Department of Biomedical Engineering NCSU/UNC-CH, Raleigh, NC 27695, USA)
資料名： Acta Biomaterialia  (Acta Biomaterialia)
巻： 8  号： 2  ページ： 728-733  発行年： 2012年 
JST資料番号： W3136A  ISSN： 1742-7061  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料の毒性は,in vitroおよびin vivo応用に対する使用を著しく妨げることができる。窒化ガリウム(GaN)は,優れた化学的安定性を含む顕著な特性を有する材料である。本研究は,官能化およびエッチングされたGaN表面が水性環境で安定であり,過酸化水素の存在下でも溶液中で無視できる量のGaを浸出することを示した。また,細胞培養におけるGaN表面は,近くの細胞増殖に干渉せず,エッチングされたGaNは,エッチングされたシリコン表面と比較して,細胞の接着を促進した。GaNとシリコン表面に共有結合したモデルペプチド「IKVAV」はPC12細胞の接着を増加させた。ペプチド末端GaNは神経突起のより大きな細胞伸展と伸長を促進した。結果は,ペプチド修飾GaNが,神経界面に関連した化学的および電気的刺激をプローブするために使用できる生体適合性で非毒性の材料であることを示唆する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ガリウム ,  ケイ素 ,  過酸化水素 ,  *ペプチド ,  細胞培養 ,  電気刺激 ,  細胞増殖 ,  細胞接着 ,  *窒化ガリウム ,  共有結合 ,  *官能化 ,  *生体適合性 ,  in vitro実験
準シソーラス用語： 神経突起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化ガリウム ,  細胞接着 ,  表面官能化 ,  PC12細胞

分類 (2件)： 医用素材  (GA05040H) ,  細胞生理一般  (EF02010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化ガリウム ,  ペプチド ,  官能化 ,  生体適合性 ,  非毒性