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J-GLOBAL ID：202102237044712128   整理番号：21A1275297

オプトエレクトロニクスデバイス応用のための三次尿素サリチル酸単結晶の実験および計算研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental and computational studies on third-order urea salicylic acid single crystal for optoelectronic device applications

著者 (5件)： Suresh A. (Division of Physics, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Chennai, India) ,  Jauhar RO. MU. (Division of Physics, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Chennai, India) ,  Manikandan N. (Division of Physics, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Chennai, India) ,  Girisun T. C. Sabari (Nanophotonics Laboratory, School of Physics, Bharathidasan University, Tiruchirappalli, India) ,  Vinitha G. (Division of Physics, School of Advanced Sciences, Vellore Institute of Technology, Chennai, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 31  号： 20  ページ： 17594-17613  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な品質の尿素サリチル酸(USA)単結晶を成長させるために,低速蒸発溶液成長技術を採用した。単結晶X線回折は,それらのセルパラメータと対応する空間群を確認した。密度汎関数理論(DFT)計算を利用して,米国化合物のフロンティア分子軌道(FMO)と自然結合軌道(NBO)を評価した。理論的に計算したバンドギャップエネルギーは3.49eVの測定値とわずかに異なり,分子中で起こる電荷移動の理解に利用した。試料は350nmの低いカットオフ波長を示した。FTIRは,関連する官能基の存在を確認し,17°Cまで熱的に安定であることが分かった。標題化合物の比熱容量は30°Cで1.28J/kg/Kであった。USA結晶のレーザ損傷閾値エネルギーは1.37GW/cm2であった。結晶の電気的挙動を誘電測定から解析した。機械的安定性は,標題化合物が軟質材料であることを明らかにした。USA化合物の三次非線形光学特性を標準Z走査法を用いて分析し,種々の報告された比較結晶と比較してより良い特性を示した。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間群 ,  蒸発 ,  *単結晶 ,  電荷移動 ,  波長 ,  溶液成長 ,  密度汎関数法 ,  FTIR分光法 ,  ウレア化合物 ,  芳香族カルボン酸 ,  フェノール類 ,  ヒドロキシ酸
準シソーラス用語： 官能基 ,  誘電測定 ,  単結晶X線回折 ,  バンドギャップエネルギー ,  *光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： 尿素 ,  サリチル酸

タイトルに関連する用語 (8件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  応用 ,  尿素 ,  サリチル酸 ,  単結晶 ,  実験 ,  計算 ,  研究