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J-GLOBAL ID：202102237420172615   整理番号：21A1958950

集積高Kゲート誘電体と高K誘電体トレンチを有するVDMOSの数値研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical Study of the VDMOS with an Integrated High-K Gate Dielectric and High-K Dielectric Trench

著者 (7件)： Zhang Zhenyu (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-assembly technology,Nanjing,China) ,  Yao Jiafei (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-assembly technology,Nanjing,China) ,  Guo Yufeng (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-assembly technology,Nanjing,China) ,  He YongChen (The College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing,China) ,  Liu JinCheng (The College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics, Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing,China) ,  Gu Mingyuan (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-assembly technology,Nanjing,China) ,  Liang Qicong (National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-assembly technology,Nanjing,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2021  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 統合高kゲート誘電体と高k誘電体トレンチを有するVDMOSを,本論文で調査した。高k(HK)誘電体をゲート誘電体とトレンチの両方に適用し,プロセスの複雑さを増加させずに性能を改善した。最初に,HK誘電体トレンチはドリフト領域の電場分布をより均一にし,破壊電圧(BV)を改善する。第二に,HK誘電体トレンチはドリフト領域の枯渇を助け,それによってドリフト領域のドーピング濃度を増加させ,比抵抗(Ron,sp)を減少させる。第3に,HKゲート誘電体は閾値電圧(V_th)を減少させ,デバイスの相互コンダクタンス(g_m)を増加させる。シミュレーション結果は,新しいVDMOSが,側壁HK誘電体VDMOS(SWHK VDMOS)と従来のVDMOS(ConVDMOS)と比較して,より良い破壊,出力,および伝導特性を有することを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電気抵抗率 ,  *誘電体 ,  ドリフト ,  ドーピング ,  相互コンダクタンス ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電界分布 ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積 ,  ゲート誘電体 ,  高k誘電体 ,  トレンチ ,  数値 ,  研究