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J-GLOBAL ID：202102237611736752   整理番号：21A1049510

パワーエレクトロニクス変圧器用のSiCベース高効率高絶縁デュアルアクティブブリッジコンバータ【JST・京大機械翻訳】

SiC-Based High Efficiency High Isolation Dual Active Bridge Converter for a Power Electronic Transformer

著者 (5件)： Saeed Mariam ,  Rogina Maria R. ,  Rodriguez Alberto ,  Arias Manuel ,  Briz Fernando
資料名： Energies (Web)  (Energies (Web))
巻： 13  号： 5  ページ： 1198  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7016A  ISSN： 1996-1073  CODEN： ENERGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,3段モジュール電力エレクトロニクス変圧器における炭化ケイ素(SiC)デバイスの使用の利点を論じた。各段階によって満たされる要求に従って,2番目のもの(DC/DC分離変換器)は,SiCデバイスの使用から得られる最も優れた改善を示す。したがって,本論文は,SiCベースの二重アクティブブリッジで実装されたこの第二段階に焦点を合わせる。SiCデバイスの選択は,それらの固有ダイオードに加えてSiC逆平行Schottkyダイオードと共充填したときに得られる効率改善を詳述する。この効率改善は二重アクティブブリッジ動作点に依存する。したがって,効率改善を評価し,この依存性の理由を理解するために,簡単なデバイス損失モデルを示した。5kW二重アクティブブリッジプロトタイプからの実験結果を得て,モデルを検証した。二重アクティブブリッジコンバータも定格電力で動作する完全PETモジュールの一部として試験した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  *変圧器 ,  変換器 ,  効率化 ,  電力 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  定格 ,  高周波変成器 ,  *パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiCデバイス ,  逆平行ダイオード ,  二重アクティブブリッジ ,  パワーエレクトロニクス変圧器 ,  高周波変圧器

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (46件)：

• van der Merwe, J.W.; Mouton, H.d.T. The solid-state transformer concept: A new era in power distribution. In Proceedings of the AFRICON 2009, Nairobi, Kenya, 23-25 September 2009; pp. 1-6.
• McMurray, W. Power Converter Circuits Having a High-Frequency Link. U.S. Patent 3517300, 23 June 1970.
• Ronan, E.R.; Sudhoff, S.D.; Glover, S.F.; Galloway, D.L. A power electronic-based distribution transformer. IEEE Trans. Power Del. 2002, 17, 537-543.
• Rothmund, D.; Ortiz, G.; Guillod, T.; Kolar, J.W. 10kV SiC-based isolated DC-DC converter for medium voltage-connected Solid-State Transformers. In Proceedings of the IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Charlotte, NC, USA, 15-19 March 2015; pp. 1096-1103.
• Millán, J.; Godignon, P.; Perpiñà, X.; Pérez-Tomás, A.; Rebollo, J. A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices. IEEE Trans. Power Electron. 2014, 29, 2155-2163.

タイトルに関連する用語 (5件)： パワーエレクトロニクス ,  変圧器 ,  SiC ,  高効率 ,  絶縁