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J-GLOBAL ID：202102237706170282   整理番号：21A2308877

高X線フラックス下の半絶縁性Cr補償GaAsピクセル化センサにおける分極動力学のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulation of polarization dynamics in semi-insulating, Cr-compensated GaAs pixelated sensors under high x-ray fluxes

著者 (1件)： Zambon P. (DECTRIS Ltd., Taefernweg 1, 5405 Baden-Daettwil, Switzerland)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 11  号： 7  ページ： 075006-075006-15  発行年： 2021年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1次元半導体検出器におけるドリフト拡散とPoisson方程式に対する数値ソルバーを開発し,トラップ中心,Schottkyまたはオーム接触型,高電場での速度飽和,および外部照明として作用する任意数のドナーとアクセプタの可能性を含めた。システムの時間発展を,各時間ステップで自己矛盾なく結合した微分方程式の完全集合を解くことによって計算する。適応アルゴリズムは時間ステップを動的に調整し,許容できる計算時間内で任意の関連時間スケールで生じる動力学を正確に追跡できる。単色X線照射下での半絶縁性Cr補償GaAsセンサの場合を調べ,偏光現象,すなわち電場と信号損失の崩壊をもたらす空間電荷蓄積に関する特別の焦点で,すべての主要量の挙動を示した。モデル予測は,500μm厚さのGaAs:Crセンサで得られた実験的計数率効率データと一致し,75μmのピクセルサイズを有するIBEX光子計数応用特異的集積回路(ASIC)による読み出しと,広範囲の衝突フラックスにわたって55keVのX線で照明した。最後に,10-60keVの範囲で単色X線で照明した同じ検出器タイプに対する最大持続可能フラックスを調べた。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  帯電 ,  電場 ,  ドナー ,  *分極 ,  偏光 ,  *クロム ,  *ヒ化ガリウム ,  光子計数 ,  Poisson方程式 ,  *画素 ,  一次元 ,  捕獲中心 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： ソルバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (10件)： X線 ,  フラックス ,  半絶縁性 ,  Cr ,  補償 ,  GaAs ,  ピクセル ,  分極 ,  動力学 ,  シミュレーション